抗辐射的IS-1009RH、IS-1009EH是一个2.5V并联调节二极管,设计用于在宽电流范围内提供稳定的2.5V参考电压。
这些设备的设计是为了在整个军事温度范围内和一段时间内保持稳定。0.2%的参考公差是通过片上微调实现的。
提供一个调整终端,以便校准系统误差。使用该端子调整参考电压不会影响温度系数。
这些器件采用了层间介质隔离的EBHF工艺,对单粒子锁存免疫,并且专门设计用于在恶劣的辐射环境中提供高可靠性的性能。
IS-1009EH替代了废弃的IS-1009RH。
Rad硬QML设备的规范由国防后勤局陆海局(DLA)控制。订购时必须使用此处列出的SMD编号。
这些装置的详细电气规范见SMD 5962-00523。
引脚配置
FN4780版本7.00 2015年11月19日
特征
数据表
•根据SMD#5962-00523进行电气屏蔽
•符合MIL-PRF-38535要求的合格质量管理体系•按照50krad(Si)(LDR)测试的EH版本验收?辐射环境
-高剂量率(50-300rad(Si)/s)。300克拉(Si)-低剂量率(0.01拉德(Si)/s)50克拉(国际单位制)-锁存免疫电介质绝缘
•反向击穿电压(VZ)………2.5V
•ChangeinVZvscurrent(400μAto10mA)………6毫伏
•VZ随温度变化(-55°C至+125°C)。15毫伏
•最大反向泄漏电流。。。。。。。。。。。。。20毫安
•用从V+到V-连接的10μF并联电容对装置进行测试,从而提供最佳的稳定性
•可与1009和136工业类型互换
ISL75051ASEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL75051ASEHVFE Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL75051ASEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL7457SRHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL7457SRHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL7457SRHQF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL74422BRHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL74422BRHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL74422BRHQF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL74422ARHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL74422ARHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL74422ARHQF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738845ASEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738845ASEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738845ASEHVD Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738843ASEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738843ASEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738843ASEHVD Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738841ASEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738841ASEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738841ASEHVD Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738840ASEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738840ASEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL738840ASEHVD Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73841SEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73841SEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73840SEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73840SEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73814SEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73814SEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73592SEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73592SEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73591SEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73591SEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73590SEHVX Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌
ISL73590SEHVF Renesas 瑞萨电子 IDT 艾迪悌