特征
•在霍尼韦尔辐射硬化的基础上制造
–0.65μmLeff RICMOSTM IV SOI工艺，HX2000
–0.55微米
•阵列大小从40K到390K可用门（原始）
•HX2000支持5V核心操作
•HX2000r支持3.3V堆芯运行
•HX2000r支持混合电压I/O缓冲器
•TTL（5V）或CMOS（5V/3.3V）兼容I/O
•可配置多端口门阵列SRAM
•单端口或双端口定制SRAM接入功能
•支持芯片级断电以实现冷备盘
•支持超过100 MHz的系统速度
一般说明
HX2000和HX2000r栅阵列是以性能为导向的晶体管阵列，采用霍尼韦尔公司的RICMOSTM IV绝缘体硅（SOI）工艺制造。HX2000阵列仅用于5V设计。HX2000r阵列支持5V和3.3V操作。高密度是通过标准的3层金属或可选的4层金属工艺实现的，提供多达29万个可用的门。RICMOS（辐射不敏感CMOS）SOI工艺具有高密度和高性能的特点，即使在电离辐射超过1×106 rad（SiO2）后，也能在整个军用温度范围内实现100 MHz以上的器件工作。在Adams 90%最坏情况下，触发器的软错误率（SER）设计为小于1x10-11个错误/位/天。
每一个HX2000/HX2000r设计都建立在我们久经考验的RICMOS ASIC库上，包括SSI和MSI逻辑元件、可配置的RAM单元和可选的I/O板。栅极阵列具有一个全局时钟网络，能够处理多个区域之间具有低时钟偏差的时钟信号。该系列完全符合霍尼韦尔公司的高可靠性筛选程序，并符合质量管理体系Q和V级要求。
HX2000 HX2000r系列
•总剂量硬度≥1x106 rad（二氧化硅）•剂量率不稳定硬度：
大于等于1x101rad（Si）/秒，HX2000*大于1x109rad（Si）/秒，HX2000r*
选项可用于：
大于或等于1x1011 rad（Si）/秒，HX2000*大于或等于1x1010 rad（Si）/秒，HX2000r*
•剂量率生存能力≥1x1012 rad（Si）/sec*
•软错误率
≤1x10-11个错误/位/天，HX2000≤1x10-10个错误/位/天，HX2000r
•中子注量硬度达到1x1014/cm~2•无闭锁
*预计
设计人员可以从各种I/O类型中进行选择。输出缓冲区选项包括8个驱动强度、CMOS/TTL电平、IEEE1149.1边界扫描、上拉/下拉电阻和三态能力。输入缓冲器可选择用于CMOS/TTL/Schmitt触发电平、IEEE1149.1边界扫描和上拉/下拉电阻。双向缓冲器也可用。
HX2000r的一个重要特性是双电压I/O能力，在这种能力下，设计人员在I/O缓冲区的布置方面具有完全的灵活性。此功能允许具有不同电源电压的相邻I/O缓冲区。
HX2000/HX2000r系列为可配置的多端口sram提供了选项。可以以单位增量选择字宽。有多种SRAM读写端口选项可供大多数应用程序使用。还可以实现自定义的宏单元插入，以进一步提高芯片密度。可按两位增量选择字宽。单端口和双端口选项是可用的。
HX2000/HX2000r系列具有允许芯片级断电模式的特殊功能，在这种模式下，连接到芯片的相关总线可以保持活动状态。
HX6228/TVHC Honeywell 霍尼韦尔
HX6228/TVHT Honeywell 霍尼韦尔
HX6228Die Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NQFC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NQFT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NQHC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NQHT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NQRC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NQRT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NVFC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NVFT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NVHC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NVHT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NVRC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/NVRT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/PQFT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/PQHT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/PQRT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/PVFT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/PVHT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/PVRT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/RQFC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/RQFT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/RQHC Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/RQHT Honeywell 霍尼韦尔
HX6256/RQRC Honeywell 霍尼韦尔