QPD007是一种在DFN封装中的单路径分立GaN-on-SiC-HEMT，工作频率从DC到5ghz。它是一个单级、不匹配的晶体管，能够在+48V工作时传输20W的P3dB。无铅，符合RoHS标准。
Qorvo-GaN器件是耗尽模式器件，因此在漏极电压存在时需要负栅电压以防止损坏。在VGS=0v的栅极和漏极电压存在的情况下，器件将具有高电流和高功耗，这可能会永久性地损坏器件。用户应通过硬件或软件控制来确保当存在漏极电压时，器件上始终存在负栅电压。用户还应考虑漏极偏压馈电线上的旁路电容器的放电情况，在漏极电源电压被移除后，可以保持一段时间的电压。
主要特点：
工作频率范围：5GHz
工作漏极电压：+48 V
3.5 GHz时的最大输出功率（P3dB）：20 W
3.5 GHz时的最大漏极效率：73%
3.5GHz时的效率调谐回退增益：19dB
4.5 x 4.0 mm DFN封装
QPD0007
QPD0060
QPD1003
QPD1004
QPD1010
QPD1013
QPD1018
QPD1022
QPD2195
QPD2730
QPD2795