Broadcom® AFBR-S4N66C013 6mm单硅光电倍增管 (SiPM) 设计用于单光子的超灵敏精密测量。该款单SiPM具有6.14mm2 x 6.14mm2的有源区，借助硅通孔 (TSV) 技术实现了单芯片的高封装密度。AFBR-S4N66C013 SiPM具有高光子探测效率 (PDE)、高填充系数、出色的击穿电压均匀性和出色的增益均匀性。

该SiPM配有玻璃保护层，在紫外波长下高度透明。这样即可在可见光谱中实现广泛响应，并在光谱的蓝紫外和近紫外区域保持高灵敏度。应用包括X射线检测、γ射线检测、核医学、生命科学、流式细胞术和天体物理学。

特性

• 单硅光电倍增管

• 在420nm波长下具有超过55％的PDE

• 出色的单光子时间变革 (SPTR)

• 击穿电压和增益均匀性极佳

• 采用TSV技术（4面可倾斜，具有高填充系数）

• 高度透明的玻璃保护盖，用于在紫外光谱区域实现高灵敏度

• 符合RoHS指令和REACH标准

应用

• X射线和伽马射线检测

• 伽马射线光谱

• 安全与安保

• 核医学

• 正电子发射计算机断层扫描

• 生命科学

• 流式细胞术

• 荧光发光测量

• 时间相关单光子计数

• 高能物理

• 天体物理学

规范

• 6.14mm2 x 6.14mm2有源区

• 30µm2 x 30µm2单元间距

• 77%的微单元填充系数

• 工作温度范围：-40°C至85°C