Infineon EVAL_1EDF_G1_HB_GAN评估板提供了一个平台，用于评估采用通用半桥拓扑的GaN。通用拓扑可配置为升压或降压运行、脉冲测试或连续全功率运行。因此，该评估板几乎可用于构建所有转换器和逆变器应用。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN评估板支持轻松、快速地设置和测试CoolGANtm。该板设有测试点，可以轻松访问以将信号连接到示波器，并测量CoolGaN™晶体管和栅极驱动器的开关性能。该器件可为用户节省时间，让他们可以不用顾及自己的栅极驱动器和电源电路的设计。
EVAL_1EDF_G1_HB_GAN由5V单电源输入供电，具有单个PWM输入，用于连接50Ω脉冲发生器。该半桥电路板能够以硬开关或软开关方式开关12A连续电流以及35A峰值电流。工作频率可高达几MHz，具体取决于晶体管的功耗。
特性
简单的GaN半桥，带专用GaN驱动器IC
能够实现多MHz开关频率
零反向恢复 – 可在硬开关或软开关之间切换
GaN晶体管采用顶部冷却，可实现高功耗
轻松设置和使用
多种配置可供选择
评估GaN的高频能力
评估具有低振铃、过冲、EMI的波形
可在数千瓦的功率级下轻松进行评估
应用
转换器和逆变器应用