内容：目前西安福川电子科技有限公司关于LCS7262U5RH|JANSR2N7262U（IRHE7230）晶体管，集成电路中心设计能力这到65nm，在研40nm，规划28nm;中测、成测测试能力这到1.6GHz，可提供1024个测试通道，覆益髙、常、低温测试；具有包括PowerPCARM、SPARC V8、8051、DSP6713、Ethernet、1553B、Spacewire、PCIe、FlexRay、DDR、LVDS、SERDES、Memory、LDO、PLL、ADC、DAC 等在内的 130 余种标准 IP 库；自主开发了标准单无和IP的自动化建库流程，建立了 0.35umSOI/CMOS、0. 5umSOI/CMOS、0.18um CMOS、0.13um CMOS和65nmCMOS抗辐射单无库基础单无2000余个；建立了从硬件描述直至物理实现的整套设计方法和流程，具有规范、完整的集成电路质量保障体系。

描述：

国际整流器公司的RAD-HardTMHEXFET®技术提供高性能电源用于空间应用的MOSFET。 这项技术拥有超过十年的成熟表现卫星应用的可靠性。 这些设备有已被定性为总剂量和单剂量事件效果（SEE）。Rdson的组合低栅极电荷降低了功率损耗切换DC到DC转换器等应用和电机控制。 这些设备保留了所有井已立MOSFET等电压优势控制，快速切换，易于并联和电参数的温度稳定性。

特征：单事件效应（SEE）强化、低RDS（上）、低总栅极电荷、简单的驱动器要求、易于平行、表面贴装、重量轻.

电气参数：

漏源击穿电压BVDSS≥200V

连续漏极电流ID≥5.5A

静态漏源导通电阻RDS(on)≤0.35Ω

阈值电压VGS(th) 2V～4V

静态漏源漏电流IDSS≤25µA

静态栅源漏电流IGSS≤∣±100∣nA

二极管正向压降VSD≤1.4V

总栅电荷Qg≤50nC

栅源电荷Qgs≤10nC

栅漏电荷Qgd≤25nC

开启延迟时间td(on)≤25ns

上升时间tr≤40ns

关断延迟时间td(off)≤60ns

下降时间tf≤45ns

二极管反向恢复时间trr≤400ns

最大耗散功耗PD（Tc=25℃）25W

热阻（结-壳）RθJC≤5.0℃/W