内容：目前西安福川电子科技有限公司关于LCS7464T2RH|JANSR2N7464T2（IRHF7430SE）晶体管，集成电路中心设计能力这到65nm，在研40nm，规划28nm;中测、成测测试能力这到1.6GHz，可提供1024个测试通道，覆益髙、常、低温测试；具有包括PowerPCARM、SPARC V8、8051、DSP6713、Ethernet、1553B、Spacewire、PCIe、FlexRay、DDR、LVDS、SERDES、Memory、LDO、PLL、ADC、DAC 等在内的 130 余种标准 IP 库；自主开发了标准单无和IP的自动化建库流程，建立了 0.35umSOI/CMOS、0. 5umSOI/CMOS、0.18um CMOS、0.13um CMOS和65nmCMOS抗辐射单无库基础单无2000余个；建立了从硬件描述直至物理实现的整套设计方法和流程，具有规范、完整的集成电路质量保障体系。

描述：International Rectifier的RAD-HardTMHEXFET技术该技术提供高性能功率MOSFET用于空间应用。 这项技术已经超过了卫星已证实的十年性能和可靠性应用。 已经表征了这些装置总剂量和单一事件效果（SEE）。该低RDS（on）和低栅极电荷的组合减少DC等开关应用中的功率损耗到直流转换器和电机控制。 这些设备保留MOSFET的所有成熟优势作为电压控制，快速切换，易于并联和电气参数的温度稳定性。

特征：单事件效应（SEE）强化、低RDS（上），低总栅极电荷，简单的驱动器要求，易于平行，非常紧密的密封，陶瓷包装，表面贴装，重量轻.

电气参数：

漏源击穿电压BVDSS≥500V

连续漏极电流ID≥2.5A

静态漏源导通电阻RDS(on)≤1.77Ω

阈值电压VGS(th) 2.5V～4.5V                              

静态漏源漏电流IDSS≤50µA

静态栅源漏电流IGSS≤∣±100∣nA

二极管正向压降VSD≤1.2V

总栅电荷Qg≤30nC

栅源电荷Qgs≤8nC

栅漏电荷Qgd≤18nC

开启延迟时间td（on）≤35ns

上升时间tr≤60ns

关断延迟时间td（off）≤67ns

下降时间tf≤52ns

二极管反向恢复时间trr≤400ns

最大耗散功耗PD（Tc=25℃）25W

热阻（结-壳）RθJC≤5.0℃/W