内容：目前西安福川电子科技有限公司关于LVD25C50ARH晶体管，集成电路中心设计能力这到65nm，在研40nm，规划28nm;中测、成测测试能力这到1.6GHz，可提供1024个测试通道，覆益髙、常、低温测试；具有包括PowerPCARM、SPARC V8、8051、DSP6713、Ethernet、1553B、Spacewire、PCIe、FlexRay、DDR、LVDS、SERDES、Memory、LDO、PLL、ADC、DAC 等在内的 130 余种标准 IP 库；自主开发了标准单无和IP的自动化建库流程，建立了 0.35umSOI/CMOS、0. 5umSOI/CMOS、0.18um CMOS、0.13um CMOS和65nmCMOS抗辐射单无库基础单无2000余个；建立了从硬件描述直至物理实现的整套设计方法和流程，具有规范、完整的集成电路质量保障体系。

描述：国际整流器公司的R6TM技术提供用于空间应用的卓越功率MOSFET。这些设备提高了对Single的免疫力事件效应（SEE）并已被定性线性能量转移的有用性能（LET）高达90MeV /（mg / cm2）。 他们的组合非常低的RDS（on）和更快的切换时间减少今天的功率损耗和功率密度增加高速开关应用，如DC-DC转换器和电机控制器。 这些设备保留所有已建立的优势MOSFET等电压控制，易于并联和电气参数的温度稳定性。

特征：低RDS（上）、快速切换、单事件效应（SEE）强化、低总栅极电荷、简单的驱动器要求、易于平行、非常紧密的密封、表面贴装、陶瓷包装、重量轻.

电气参数：

漏源击穿电压BVDSS≥250V

连续漏极电流ID≥50A

静态漏源导通电阻RDS(on)≤0.06Ω

阈值电压VGS(th) 2V～4V

静态漏源漏电流IDSS≤25µA

静态栅源漏电流IGSS≤∣±100∣nA

二极管正向压降VSD≤1.2V

总栅电荷Qg≤180nC

栅源电荷Qgs≤45nC

栅漏电荷Qgd≤75nC

开启延迟时间td（on）≤80ns

上升时间tr≤110ns

关断延迟时间td（off）≤130ns

下降时间tf≤130ns