内容：目前西安福川电子科技有限公司关于LCS7425T1RH|JANSR2N7425（IRHM9160）晶体管，集成电路中心设计能力这到65nm，在研40nm，规划28nm;中测、成测测试能力这到1.6GHz，可提供1024个测试通道，覆益髙、常、低温测试；具有包括PowerPCARM、SPARC V8、8051、DSP6713、Ethernet、1553B、Spacewire、PCIe、FlexRay、DDR、LVDS、SERDES、Memory、LDO、PLL、ADC、DAC 等在内的 130 余种标准 IP 库；自主开发了标准单无和IP的自动化建库流程，建立了 0.35umSOI/CMOS、0. 5umSOI/CMOS、0.18um CMOS、0.13um CMOS和65nmCMOS抗辐射单无库基础单无2000余个；建立了从硬件描述直至物理实现的整套设计方法和流程，具有规范、完整的集成电路质量保障体系。

描述：International Rectifier的RADHARDHEXFET®技术为空间提供高性能功率MOSFET应用。 这项技术经过十多年的验证卫星应用中的性能和可靠性。 这些设备已被用于总剂量和单一事件效果（SEE）。 低Rdson的组合低栅极电荷降低了开关时的功率损耗DC-DC转换器和电机等应用控制。 这些设备保留了所有完善的设备MOSFET的优点如电压控制，速度快切换，易于并联和温度稳定性电气参数。

特征：单事件效应（SEE）强化、超低RDS（上）、低总栅极电荷、质子容忍、简单的驱动器要求、易于平行、非常紧密的密封、表面贴装、陶瓷包装、重量轻、ESD等级：符合MIL-STD-750的1B级，方法1020.

电气参数：漏源击穿电压BVDSS≥-100V、连续漏极电流ID≥-35A、静态漏源导通电阻RDS(on)≤0.073Ω、阈值电压VGS(th) -2V~-4V、静态漏源漏电流IDSS≤-25μA、静栅源漏电流IGSS≤∣±100∣nA、二极管正向压降VSD≤-3.3V、总栅电荷Qg≤290nC、栅源电荷Qgs≤72nC、栅漏电荷Qgd≤77nC、开启延迟时间td(on)≤35ns、上升时间tr≤170ns、关断延迟时间td(off)≤190ns、下降时间tf≤190ns、二极管反向恢复时间trr≤300ns、最大耗散功耗PD（Tc=25℃）250W、热阻（结-壳）RθJC≤0.5℃/W.