HS1-6664RH-8/Q辐射硬化64K CMOS PROM
关键特征
l SMD的电气筛选
l 符合MIL-PRF—35535要求的QML
l 1.2微米辐射硬化体CMOS
l 总剂量300 krad(Si) (Max)
l 瞬态输出翻转>5 x 108 rad(Si)/s
l 快速存取时间35ns (Typ)
l 单5V电源
l 单脉冲10V现场可编程
l 同步操作
l 片上地址锁存器
l 三态输出
l NiCr保险丝
l Low Standby电流＜500μA (Pre-Rad)
l 低工作电流＜15mA/MHz
l 军事温度范围 -55℃~125℃
描述
Intersil 的HS6464RH是一种辐射硬化64K CMOS PROM，由8K格式的8K字组成。该芯片采用辐射硬化CMOS工艺制造，并利用同步电路设计技术，以非常低的功耗实现高速性能。
提供了片上地址锁存器，允许使用多路复用地址/数据总线结构的微处理器容易地接口。输出允许控制（G）通过允许输出数据总线控制，除了芯片使能控制（E）之外，简化了系统接口。所有位被制造成存储逻辑“0”，并且可以在任意位位置选择性地为逻辑“1”编程。
HS626RH CMOS PROM的应用包括基于微处理器的低功耗仪器和通信系统、远程数据采集和处理系统和处理器控制存储器。