描述：

NPT2010 GaN HEMT是为DC-2.2GHz操作优化的宽带晶体管。该设备已被设计用于CW，脉冲和线性操作，输出功率水平为100W（50 dBm）的工业标准金属陶瓷封装与螺栓法兰。

NPT2010最适合防御通信，陆地移动无线电，航空电子，无线基础设施、ISM应用和甚高频/UHF/L/S波段雷达。

特征：

1、GaN上Si HEMT-D型晶体管

2、适合线性和饱和应用

3、直流- 2.2 GHz可调谐

4、48 V操作

5、15dB增益@ 2.15GHz

6、61%排水效率@ 2.15 GHz

7、100%射频测试

8、工业标准金属陶瓷封装

9、符合RoHS标准*