西安福川电子科技的衰减器采用低功率芯片封装以及0.250 sq高功率BeO封装。输入额定功率范围为0.1到120瓦。衰减值范围从0 dB到20 dB，某些设备上有30 dB。我们的片状衰减器的端子由厚膜材料制成。端子镀镍和焊料涂层，或在符合RoHS要求的镍镍上镀银。我们的芯片衰减器可提供厚膜抗蚀剂，氮化钽或镍铬合金薄膜抗蚀剂材料。TS04，TS05，TS07，TS09，TT9，KFA，QFA和HPCA系列使用厚膜电阻器元件。这些设备可以托盘或卷带包装的形式运输。
表面贴装芯片衰减器设计用于直接安装在印刷电路板上。两侧的边缘金属化形成了焊脚，可实现更牢固的连接，更易于检查和增加散热面积。这些设备有氧化铝，氮化铝（AlN），BeO和CVD金刚石。所有设备均符合RoHS要求。
基材-BeO，AlN，氧化铝和CVD金刚石
商业和高可靠性产品线
频率范围从DC到50 GHz
衰减值从0到30dB
太空和军事资格
表面贴装，可粘接和同轴配置
| 系列 | 温变量Thermopad ® 等效 | 频率范围 | 最大输入功率CW | 尺寸图（英寸） | 外形尺寸（mm） |
|---|---|---|---|---|---|
| TS03 TT3（0.5dB衰减） | TVA | DC-12.4 GHz | 2.0瓦 | 0.122 X 0.145 | 3.10 X 3.68 |
| TS04 | 无法使用 | DC-6 GHz | 1.0瓦 | 0.125 X 0.100 | 3.18 X 2.54 |
| TS05 TT5（0.5dB衰减） | MTVA | DC-18 GHz | * 0.75-5.0瓦 | 0.075 X 0.060 | 1.91 X 1.52 |
| TS06 | 无法使用 | DC-20 GHZ | * 0.5-3.0瓦 | 0.065 X 0.035 | 1.65 X 0.89 |
| TS07 | AN7 | DC-6 GHz | 100毫瓦 | 0.080 X 0.050 | 2.03 X 1.27 |
| TS09 | WTVA | DC-20 GHz | 200毫瓦 | 0.060 X 0.075 | 1.52 X 1.91 |
| TT9 | WTVA | DC-20 GHz | * 1.0-4.0瓦 | 0.060 X 0.075 | 1.52 X 1.91 |
| TS11 | AN11 | DC-6 GHz | 100毫瓦 | 0.045 X 0.025 | 1.13 X 0.62 |
| 16-36 GHz | 200毫瓦 | 0.120 X 0.065 | 3.05 X 1.65 | ||
| 无法使用 | K2TVA | 27-32 GHz | 200毫瓦 | 0.120 X 0.065 | 3.05 X 1.65 |
| QFA | 无法使用 | 36-50 GHz | 200毫瓦 | 0.120 X 0.065 | 3.05 X 1.65 |
| *取决于衰减值 | |||||
