西安福川电子科技的三电平逆变器SiC MOSFET模块是用SiC MOSFET和SiC二极管构建的，因此结合了两种器件的优势：

SiC功率MOSFET

• 低RDS（on）

• 高温性能

SiC肖特基二极管

• 零反向恢复

• 零前向恢复

• 温度无关开关行为

• VF上的正温度系数

除此之外，Microsemi的三电平逆变器SiC MOSFET模块还具有以下功能：

• 开尔文发射器，易于驱动

• 极低的杂散电感

• 内部热敏电阻，用于温度监控

• AlN基板可改善热性能

三电平逆变器SiC MOSFET模块的优势

• 稳定的温度行为

• 非常坚固

• 直接安装到散热器（隔离包装）

• 结到外壳的热阻低

• 低调

• VCEsat的正TC使得并联容易

• 符合RoHS