描述

ISSI IS61/64LV51216是一个高速的、8 m位的静态RAM，由16位的525.288个字组成。它使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这个高度可靠的过程加上创新的电路设计技术，产生高性能和低功耗的设备当CE高(不选)时，设备假定为待机模式，在待机模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗通过使用芯片使能和输出使能输入提供方便的内存扩展。

CE和OE。active LOW Write Enable (WE)控制内存的读写。数据字节允许上字节(UB)和下字节(LB)访问。IS61/64LV51216包装在JEDEC标准44针TSOP类型Il和48针Mini BGA(9毫米x 11毫米)。

特性高速访问时间:8。10. 和12 nsCMOS低功率运行低备用电源:-小于5 mA (typ.)CMOS备用TL兼容接口级别单台3.3V电源完全静态操作:不需要时钟或刷新三个状态输出数据控制的上部和下部字节可用的工业和汽车温度无铅可用.