Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。
氮化镓与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热电导率。GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的带宽与GaAs晶体管相比。该IM FET提供金属/陶瓷法兰封装，以实现最佳的电气和热性能.
| 峰值输出功率 | 100W | |
|---|---|---|
| 应用 | L波段/ S波段/ X波段/ C波段/ Ku波段 | |
| 典型的功率附加效率PAE | 45％ | |
| 典型功率（PSAT） | 145瓦 | |
| 功率增益 | 10分贝 | |
| 工作电压 | 40 V | |
| 频率 | 7.9 - 9.6 GHz | |
| 包装类型 | 轮缘 | |
| 内部匹配 | 是 - 50Ω | |
其他放大器型号：
TGA2239/TGA2595
HMC-ALH369/HMC-ALH445
GALI-84+/PGA-106R-75
XD1001-BD-000V
CGHV96100F2