NAND技术为需要高密度固态存储的应用提供了一种经济有效的解决方案。MT29F2G08AxB和MT29F2G16AxB是2Gb NAND闪存设备。MT29F4G08BxB和MT29F4G16BxB是作为单个4Gb设备运行的双模栈。MT29F8G08FAB是一个四模堆栈，作为两个独立的4Gb设备运行(MT29F4G08BxB)，在一个单独的节省空间的包中提供了8Gb的总存储容量。Micron NAND闪存设备包括标准的NAND特性以及旨在增强svstemi级性能的新特性。微米NAND闪存设备使用高度多路复用的8位或16位总线(1/0[7:0]或1/0115:01)来传输数据，地址，和指令。五个命令引脚(CLE, ALE, CE#， RE#， WE#)执行NAND命令总线接口协议。

三个额外的引脚控制硬件写保护(WP#)，监控设备状态(R/B#)，并启动自动读取功能(前3v设备)。注意，预功能在扩展温度设备上不受支持。这一硬件接口创建了低针计数设备与标准尖出是相同的密度从一个到另一个，允许未来升级到更高的密度，而无需电路板重新设计MT29F2G和MT29F4G设备分别包含2,048和4,096个可擦除块。每个块被细分为64个可编程页。

每页由2112个bvtes (x8)或1056个单词(x16)组成。页面被进一步划分为一个2048字节的数据存储区域，在x8设备上有一个单独的64字节区域:在x16设备上，有单独的1.024字和32字区域。64字节和32字区域通常用于错误管理功能。每个2112字节的页面的内容可以在300us内被编程，而整个132Kbyte/66K的字块可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动程序和擦除操作，以最大限度的循环耐久性。当使用适当的错误纠正码(ECC)和错误管理时，擦除/程序持久性被指定为100,000循环。

特性组织:页面大小:x8

读性能:我们随机读取:25顺序读取:30ns(仅3V x8)写性能页面程序:300us (TYP块擦除:2ms (TYP)持久性:100,000个程序/擦除周期数据保留:10个第一个块(块地址00h)保证在没有ECC的情况下有效(多达1000个程序/擦除周期)vcc: 2.7 v - 3.6 v自动程序和擦除基本的NAND命令集:页面阅读。

随机数据读取，读取ID。读取状态，程序页，随机数据输入程序页面缓存模式，INTERNAL数据移动，内部数据移动随机数据输入，擦除，重置新命令页读高速缓存模式读取UNIOUE ID(联系工厂)读ID2(联系工厂)操作状态字节提供了一种软件检测方法程序.

擦除操作完成程序/通过/失败conditior擦掉写保护状态准备/忙# (R/B#)针提供了一种硬件方法检测程序或擦除周期完成PRE pin:开机时预取WP# pin:硬件写保护.

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