AT60142F-DC15MMQ特点：工作电压：3.3V，接入时间：–仅3.3V偏置电压（AT60142F）为15 ns–5V耐受电压为17 ns（AT60142FT），极低功耗–有功功率：650 mW（最大）@15 ns，540 mW（最大）@25 ns–待机：3.5 mW（典型），宽温度范围：-55至+125°C，500 Mils宽封装，TTL兼容输入和输出，异步，设计为0.25μm辐射硬化工艺，在80 MeV/mg/cm2的LET阈值以下无单事件闭锁，根据MIL-STD-883，测试总剂量为300克拉（Si）方法1019，500密耳宽FP36封装，ESD优于4000V。
AT60142F/FT是非常低功耗的CMOS静态RAM，组织为524 288 x 8比特。阿特梅尔将解决方案应用于快速计算和低消耗一样强制的应用，如航空电子、便携式仪器或登船系统。利用六个晶体管（6T）存储单元阵列，AT60142F/FT结合了极低的备用电源电流（典型值=1毫安），在整个军用温度范围内具有15纳秒的快速接入时间。6T电池的高稳定性为因噪音。那个F版本是偏压在3.3V和不5V容忍：它是可用的15nsspecification.规范FTversion是一个允许5V公差的变体：它有17种nsspecification.规范AT60142F/FT根据最新版本的theMIL PRF 38535或ESA SCC 9000。它采用抗辐射加固的0.25μm CMOS工艺生产。
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