Qorvo的T1G2028536-FL是一个285W（P3dB）的分立GaN-on-SiC HEMT，工作范围从直流到2GHz。该设备采用Qorvo成熟的TQGaN25HV工艺制造，采用先进的场极板技术，在高漏极偏压工作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，减少放大器线路和热管理成本。
主要特点：
频率：直流至2 GHz
输出功率（P3dB）：260 W，1.2 GHz
线性增益：1.2 GHz时为18 dB
工作电压：36 V
低热阻封装
T1G2028536-FL
T1G2028536-FS
T1G4020036-FL
T1G4020036-FS
T1G6003028-FS
T1L2003028-SP
T1P2701012-SP
T1P3002028-SP
T1P3003028-SP
T1P3005028-SP
T2G4003532-FL
T2G4003532-FS
T2G6001528-SG
T2G6001528-XCC-1-Q3
T2G6003028-XCC-1-FS
TGF2002
TGF2021-02
TGF2021-08
TGF2021-08-SG
TGF2021-12
TGF2022-06
TGF2022-12
TGF2022-24
TGF2022-48
TGF2022-60
TGF2023-10
TGF2023-20
TGF2933
TGF4112
TGF4118
TGF4124
TGF4230-SCC
TGF4240-SCC
TGF4250-SCC
TGF4260-SCC
TGF4260-XCC-5