一般的描述

NAND技术为需要高密度固态存储的应用提供了一种经济有效的解决方案。MT29F2G08AxB和MT29F2G16AxB是2Gb的NAND闪存设备。MT29F4G08BxB和MT29F4G16BxB是作为单个4Gb设备运行的两个模组。MT29F8G08EAB是一个四模组，作为两个独立的4Gb设备运行(MT29F4G08BxB)，在一个单独的、节省空间的包中提供8Gb的总存储容量。

美光NAND闪存设备包括标准的NAND功能以及旨在增强系统级性能的新功能。微米NAND闪存设备使用高度多路复用的8位或16位总线(1/017:01或1/0[15:01])来传输数据、地址和指令。五个命令引脚(CLE、ALE、CE#、REH、WE#)实现了NAND命令总线接口协议。另外三个引脚控制硬件写保护(WP#)，监控设备状态(R/B#)，并启动自动读取功能(仅适用于前3v设备)。注意，预功能不支持在延长温度设备上。

这种硬件接口创造了一种具有标准引脚输出的低引脚计数设备，这种标准引脚输出在不同密度下都是相同的，未来可以在不重新设计电路板的情况下升级到更高密度MT29F2G和MT29F4G设备分别包含2048块和4096块可擦块。每个块又细分为64个可编程页。每个页面由2112个字节(x8)或1056个单词(x16)组成。页面被进一步划分为2048字节的数据存储区域，x8设备上有一个单独的64字节区域;在x16设备上，将1024字和32字区域分开。

64字节和32字区域通常用于错误管理功能。每个2112字节页面的内容可以用300美元编程，一个完整的132Kbyte/66K字块可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动程序和擦除操作，以最大限度地循环耐力。当使用适当的错误校正码(ECC)和错误管理时，ERASE/PROGRAM endurance被指定为100,000 ccles。

这些设备使用NAND电气接口和命令接口。数据、命令和地址多路传输到相同的引脚上。这提供了一个具有低引脚计数的存储设备。以页为基础访问的内部存储器。当进行读操作时，一页数据从内存数组复制到数据寄存器中。一旦复制到数据寄存器，数据就按顺序输出，在x8设备上按字节输出，在x16设备上按字逐字输出。存储器阵列以页为基础进行编程。在开始地址加载到内部地址寄存器之后。

数据按顺序写入到内部数据寄存器un到页面的末尾。在所有的页面数据都加载到数据寄存器之后。启动阵列编程。为了增加编程带宽，这个设备在缓存编程模式中包含一个缓存寄存器，数据首先被复制到缓存寄存器，然后进入数据寄存器。一旦数据被复制到数据寄存器，编程。开始了。在加载数据寄存器并开始编程之后，缓存寄存器就可以用来加载额外的数据了。

在进行页编程时，将下一页数据加载到缓存寄存器中。内部数据移动命令也使用内部缓存寄存器。通常，将数据从外部存储器的一个区域移动到另一个区域需要使用大量的外部存储器单元。通过使用内部缓存寄存器和数据寄存器，arrav数据可以从一个页面复制，然后编程到另一个不使用外部内存单元。