零件号 | 描述 | 辐射水平 | 代理资格 | 代理商通用规范 | 包裹 | 类型 | 最大限度。 | 范围（ ° C） | ||||
1N6640U | 航空航天0.3 A，75 V开关二极管 | 3 Mrad（Si）HDR | ESCC | 5101/027 | LCC-2D | 单身的 | 75 | 0.3 | 1.06 | 9 | 175 | -65至175 |
1N6642U | 航空航天0.3 A，100 V开关二极管 | 3 Mrad（Si）HDR | ESCC | 5101/026 | LCC-2D | 单身的 | 100 | 0.3 | 1.2 | 9 | 175 | -65至175 |
1N5806U | 航空航天2.5 A -150 V开关快速整流器 | 150 krad（Si）LDR 3 Mrad HDR | ESCC | 5101/014 | LCC-2A | 单身的 | 150 | 2,5 | 1,00 | 30 | 175 | -65至175 |
1N5811U | 航空航天6 A-150 V开关快速整流器 | 150 krad（Si）LDR 3 Mrad HDR | ESCC | 5101/013 | LCC-2B | 单身的 | 150 | 6 | 0,95 | 35 | 175 | -65至175 |
BYW81HR * | 航空航天1和2 x 15A-200V电源快速整流器 | -- | ESCC | 5103/029 | 贴片5 | 单身的 | 200 | 15 | 1,15 | 40 | 150 | -55至150 |
BYV54HR * | 航空航天40A-200V功率快速整流器 | -- | ESCC | 5103/031 | TO-254AA | 单身的 | 200 | 40 | 1,30 | 60 | 150 | -55至150 |
STPS40A200HR ** | Rad-Hard 40A-200V功率肖特基二极管 | 在60 MeV下免疫3 Mrad（Si）HDR无SEB。cm2 / mg @ 100％VRRMmax | ESCC | 待定 | 贴片5 | 单身的 | 200 | 40 （1） | 待定 | 待定 | 175 | -65至175 |
零件号 | 描述 | 辐射水平 | 代理资格 | 代理商通用规范 | 包裹 | 类型 | 最大限度。 | 最（A） | （摄氏度） | |||
STPS40200CHR ** | Rad-Hard 40A-200V功率肖特基二极管 | 在60 MeV下免疫3 Mrad（Si）HDR无SEB。cm2 / mg @ 100％VRRMmax | ESCC | 待定 | TO-254AA | 双共阴极 | 200 | 2 x 20 （1） | 0,87 | 60 | 175 | -65至175 |
STTH60200CHR ** | 航空航天60A-200V快速恢复整流器 | 在60 MeV下免疫3 Mrad（Si）HDR无SEB。cm2 / mg @ 100％VRRMmax | ESCC | 待定 | 贴片1 | 双共阴极 | 200 | 2 x 30 （1） | 0,95 | 60 | 175 | -65至175 |
STTH60400HR | 航空航天60A-400V快速恢复整流器 | 在60 MeV下免疫3 Mrad（Si）HDR无SEB。cm2 / mg @ 100％VRRMmax | ESCC | 5103/032 | 贴片1 | 双共阴极 | 400 | 2 x 20 （1） | 1,15 | 80 | 175 | -65至175 |
Flat-8密封封装，低剂量率100 krad（Si）温度范围：-65至200°C线性增益特性，符合ESCC认证：5207/009规格.
该双极型晶体管是采用Flat-8密封封装的双互补NPN和PNP，专为太空应用而设计。它由意法半导体的抗辐射高电流密度技术开发而成，可确保高开关性能和一流的辐射硬度性能。适用于功率MOSFET驱动器应用，已通过ESCC 5207/009认证。