Integra的碳化硅氮化镓（GaN-on-SiC，GaN / SiC）HEMT射频功率晶体管器件是最新的射频和微波功率晶体管技术。它们从UHF到C波段微波频率都可提供高增益和高功率水平，其碳化硅（SiC）基板可提供出色的散热效果，从而具有长期可靠性和最佳功率密度。这套固态射频功率晶体管套件包括提供高达77％的功率效率和高达1200 W的功率的型号。它们非常适合脉冲雷达应用中的高功率放大器（HPA）设计，包括商业空中交通管制（ATC）和军事系统。
IGN0160UM12是专为宽带应用而设计的高功率GaN晶体管。该晶体管在100MHz-6GHz的瞬时频段上工作。它提供至少12W的输出功率和17dB的增益。指定的操作是AB类。该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。
GaN on SiC HEMT技术
12W输出功率
无与伦比
经过100％大功率射频测试
AB类操作
负栅极电压/偏置排序
宽频
EAR99