IGN0450L1250是一款大功率SiC衬底上的GaN推挽式射频功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个430-450 MHz频率范围内工作。在16ms，25％占空比脉冲条件下，它可提供至少1250 W的峰值输出功率，通常具有18.5 dB的增益和75％的效率。它通过50 V电源电压工作。为了获得最佳的热效率，该晶体管封装在具有热增强功能的金属基封装中，并使用环氧密封的陶瓷盖。

特征

• GaN on SiC HEMT技术

• 输出功率> 1250W

• 预匹配输入阻抗

• 极高的效率-高达80％

• 在16ms，25％占空比脉冲条件下进行100％射频测试

• 符合RoHS和REACH

应用领域

• P波段雷达系统

出口状况

• EAR99