DC35GN-15-Q4 是一款通用源、AB 类、GaN on SiC HEMT 晶体管，能够用于宽带脉冲和 CW 射频功率应用。该晶体管采用金金属化、具有高导热性的气腔铜基 QFN 封装，以提供卓越的电气和热性能以及出色的可靠性和坚固性。特征
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| 电气额定值 | 象征 | 最小 | 类型 | 最大限度 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 排水效率 (%) | nd | 66 | % | ||
| 漏极电源电压 (dc) | V DD | 50 | 伏 | ||
| 占空比 ％ | 占空比 （％） | 10 | % | ||
| 频率 (GHz) | F | 0.05 | 4 | 吉赫兹 | |
| 获得 | G | 18 | D b | ||
| 输出功率 (W) | P OUT | 19 | 宽 | ||
| 脉冲宽度 (PW) | τ | 1000 | 微秒 |