通用 SMT 至 3.5 GHz 和通用驱动器至 L 波段
50 MHz 至 3.5 GHz 的应用
15W 至 250W 脉冲和 CW 输出功率
紧凑型 SMT CuPack 和 QFN 封装
采用陶瓷无耳或螺栓固定法兰封装和小尺寸 50Ω 托盘的驱动器
SiC 功率器件、托盘和模块上的特色 GaN
1214GN-50EP L 波段雷达 E 系列驱动器托盘
1011GN-1200V L 波段航空电子设备输出级
2731GN-270V S 波段脉冲主雷达驱动器或输出级
1214GN-700V L 波段脉冲主雷达输出级
0510GN-25-QP 通用晶体管
DC35GN-15-Q4 宽带 DC-3.5 GHz 通用驱动器
L 波段航空电子设备输出级
960 MHz 至 1215 MHz 的航空电子应用
300W 至 1.2 kW 脉冲输出功率
提供芯片和 QFN 封装
L 波段脉冲主雷达输出级
1.2 至 1.6 Ghz 雷达应用的理想选择
18-0W 至 700W 脉冲输出功率
提供陶瓷法兰螺栓封装
S 波段脉冲主雷达输出级
非常适合 2.7 GHz 至 3.5 GHz 的雷达应用
120W 至 500W 脉冲输出功率
提供陶瓷法兰螺栓封装
C波段雷达和通信
从 3.9 GHz 到 5.9 GHz 的雷达和通信应用
120W至500W输出功率
提供陶瓷法兰螺栓连接封装
Microsemi 为射频功率应用提供广泛的 GaN on SiC 晶体管产品线。
GaN RF 功率晶体管的特性和优势
GaN 高击穿电压为击穿裕量提供了 Vdd
GaN 高结温提供高 MTTF
SiC HEMT 上的 GaN 提供 AB 类，从而获得宽 Pout 动态范围和良好的线性度
SiC 上的 GaN 提供最高的功率密度
SiC 上的 GaN 提供最小的占用空间和更轻的重量
GaN on SiC 提供最高功率支持和最佳效率