| 1416GN-120E/EL/EP 是一种内部匹配、共源、AB 类、GaN on SiC HEMT 晶体管，能够提供超过 17 dB 的典型功率增益、300 ?S 脉冲宽度下 120 W 的脉冲射频输出功率和 10% 1400 MHz 至 1600 MHz 频带内的长期占空比脉冲。晶体管具有内部预匹配以获得最佳性能。密封晶体管有两种封装类型，螺栓固定法兰 55-QQ 封装和焊接无耳法兰 55-QQP 封装。它也可以安装在 50 ? 进/出托盘。这三款产品专门设计用作 DME（距离测量设备）和 L 波段脉冲雷达发射功率放大器中的驱动器，它们采用全金金属化和共晶芯片连接，提供最高的可靠性和卓越的坚固性。出口分类：EAR-99。 |
| 电气额定值 | 象征 | 最小 | 类型 | 最大限度 | 单元 |
|---|---|---|---|---|---|
| 排水效率 (%) | nd | 65 | % | ||
| 漏极电源电压 (dc) | V DD | 50 | 伏 | ||
| 占空比 ％ | 占空比 （％） | 10 | % | ||
| 频率 (GHz) | F | 1.4 | 2 | 吉赫兹 | |
| 获得 | G | 17.2 | D b | ||
| 输出功率 (W) | P OUT | 130 | 宽 | ||
| 脉冲宽度 (PW) | τ | 300 | 微秒 |