GTL2010 提供十个 NMOS 传输晶体管（Sn 和 Dn），带有一个公共栅极（G REF）和一个参考晶体管（S REF和 D REF）。开关的低导通电阻允许以最小的传播延迟进行连接。由于不需要方向控制引脚，该器件允许将任何电压（1 V 至 5 V）双向电压转换为任何电压（1 V 至 5 V）。

当 Sn 或 Dn 端口为低电平时，钳位处于 ON 状态，并且 Sn 和 Dn 端口之间存在低电阻连接。假设 Dn 端口上的电压较高，当 Dn 端口为高电平时，Sn 端口上的电压被限制为由参考晶体管 (S REF ) 设置的电压。当 Sn 端口为高电平时，Dn 端口被上拉电阻拉至 V CC。

GTL2010 中的所有晶体管都具有相同的电气特性，并且在电压或传播延迟方面从一个输出到另一个输出的偏差最小。与晶体管制造不对称的分立晶体管电压转换解决方案相比，这提供了出色的匹配。在所有晶体管相同的情况下，参考晶体管 (S REF /D REF ) 可以位于其他十个匹配的 Sn/Dn 晶体管中的任何一个上，从而简化电路板布局。带有集成 ESD 电路的转换器晶体管可提供出色的 ESD 保护。

• 提供双向电压转换，无需方向控制

提供双向电压转换，无需方向控制

允许从 1 V 到高达 5 V 的电压电平转换

提供与 GTL、GTL+、LVTTL/TTL 和 5-V CMOS 电平的直接接口

输入和输出引脚之间的低通态电阻 (Sn/Dn)

支持热插入

无需电源 — 不会闩锁

5V 容限输入

低待机电流

便于印刷电路板走线布线的流通引出线

ESD 保护超过 JESD 22

2000-V 人体模型 (A114-4)

1000V 充电器件模型 (C101)

应用

需要从任何电压（1 V 至 5 V）到任何电压（1 V 至 5 V）的电压电平转换的双向或单向应用

低压处理器 I 2 C 端口转换为 3.3-V 和/或 5-VI 2 C 总线信号电平

GTL/GTL+ 转换为 LVTTL/TTL 信号电平