ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块,专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。
在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益(频率为2.6 GHz)以及32 dBm(典型值)的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下,两级LNA的一级处于旁路状态,在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下,LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。
在传输操作中,RF输入连接到终端引脚(ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB)。该开关提供0.5 dB的低插入损耗,并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率(9 dB峰值/平均值比 (PAR))。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。
应用
无线基础设施
TDD大规模多路输入和多路输出以及有源天线系统
基于TDD的通信系统
集成式双通道 RF 前端
集成式双通道 RF 前端
2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
片内偏置和匹配
单电源供电
TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期:43 dBm
增益
高增益模式:2.6 GHz 时为 35 dB(典型值)
低增益模式:2.6 GHz 时为 14 dB(典型值)
低噪声指数
高增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
低增益模式:2.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
高隔离
RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB:45 dB(典型值)
TERM-CHA 和 TERM-CHB:60 dB(典型值)
低插入损耗:2.6 GHz 时为 0.5 dB(典型值)
高 OIP3:32 dBm(典型值)
关断模式和低增益模式
低电源电流
高增益模式:5 V 时为 110 mA(典型值)
低增益模式:5 V 时为 36 mA(典型值)
关断模式:5 V 时为 12 mA(典型值)
正逻辑控制
6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
引脚与 ADRF5545A 和 ADRF5549 10 W 版本兼容