设备概述

摘要

西安福川电子科技DN3135是一种低阈值耗尽型晶体管（常开型），利用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生了一种具有双极型晶体管的功率处理能力并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合需要高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

附加功能

• 高输入阻抗

• 低输入电容

• 快速切换速度

• 低导通电阻

• 没有二次故障

• 低输入和输出泄漏