摘要
西安福川电子科技的2N7000是一种增强模式（常关）晶体管，它利用垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
附加功能
没有二次故障
低功率驱动要求
易于并联
低CISS和快速切换速度
出色的热稳定性
集成源漏二极管
高输入阻抗和高增益