摘要
这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
高压（HV）接口设备提供了电平转换和放大功能，用于将低压控制电路连接到高压驱动的负载电路。我们的HV设备丰富，从简单的MOSFET到复杂的多通道HV驱动器IC，都是在具有不同驱动要求的MEMS或压电设备中使用的绝佳选择。我们还提供数字接口，这些接口可为SPI和I 2 C 等更复杂的协议提供简单的数字输入。我们更复杂的HV IC产品可实现串并转换功能，支持高达300V的电压并提供多达128个输出通道。查看下面列出的产品，找到适合您的应用的正确解决方案。
附加功能
没有二次故障
低功率驱动要求
易于并联
低CISS和快速切换速度
出色的热稳定性
集成源漏二极管
高输入阻抗和高增益