摘要
西安福川电子科技TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。两种MOSFET均集成有GATE-SOURCE电阻和GATE-SOURCE齐纳二极管钳位，这是高压脉冲发生器应用所需要的。它是互补的，高速，高电压，GATE钳位的N和P沟道MOSFET对，它利用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种结合产生了一种具有双极型晶体管的功率处理能力并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。
一般的描述TC6320由8导sOIc和DFN封装的高电压、低阈值n通道和p通道mosfet组成。两种mosfet都集成了栅极-源电阻和栅极-源齐纳二极管箝位，用于高压脉冲应用。这是一个免费的，高速高压，qate箝位的n通道和p通道MOSFET对，它利用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特点，没有热失控和热致二次击穿。Microchip的垂直DMOS fet非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度。
附加功能
集成栅极至源极电阻
集成栅极到源齐纳二极管
低门槛
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
没有二次故障
低输入和输出泄漏
独立的电隔离N通道和P通道
