设备概述

摘要

西安福川电子科技的TC7920由两对高压，低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引线DFN封装。所有MOSFET均集成了输出漏极高压二极管，栅极至源极电阻器和栅极至源极齐纳二极管钳位，这是高压脉冲发生器应用所需要的。互补，高速，高压，栅极钳位的N和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种结合产生了一种具有双极型晶体管的功率处理能力并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。这些器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。

附加功能

• 高压垂直DMOS技术

• 集成漏极输出高压二极管

• 集成栅源电阻

• 集成栅源齐纳二极管

• 低阈值，低导通电阻

• 低输入和输出电容

• 快速切换速度

• 电隔离的N和P-MOSFET对

一般的描述Supertex TC7920在12引线DFN封装中由两对高电压、低阈值的n通道和p通道mosfet组成。所有mosfet都集成了输出漏极高压二极管，门到源电阻和门到源齐纳二极管箝位，这是高压脉冲发生器应用所需要的。免费提供的高速、高电压、闸管N和p通道MOSFET对利用了先进的垂直DMOS结构和Supertex的成熟的硅栅制造工艺。

这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有MOS结构的特点是，这些器件没有热失控和热诱导的二次击穿。Supertex的垂直DMOS fts非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速的开关速度。