摘要
西安福川电子科技的TC8020由采用56引线QFN封装的六对高电压，低阈值N和P沟道MOSFET组成。所有MOSFET均具有集成的栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，这是高压脉冲发生器应用所需要的。互补，高速，高压，栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种结合产生了一种具有双极型晶体管的功率处理能力并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。
附加功能
高压垂直DMOS技术
集成栅源电阻
集成栅源齐纳二极管
50V时的典型峰值输出+/- 3.5A
低阈值，低导通电阻
低输入和输出电容
快速切换速度
电隔离的N和P-MOSFET对
一般的描述Supertex TC8020由6对高电压、低阈值的N-和p -通道mosfet组成，在56引线QFN封装中。所有的mosfet都集成了栅极-源电阻和栅极-源齐纳二极管箝位，用于高压脉冲发生器应用。该互补，高速，高电压，门箝位N-和p -通道MOSFET对利用了先进的垂直DMOS结构和Supertex经过验证的硅栅制造工艺。
这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特点，无热失控和热致二次击穿。Supertex的垂直DMOS fts非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速的开关速度.
