摘要
西安福川电子科技的TC1550由采用8引脚SOIC封装的高压N沟道和P沟道MOSFET组成。这是一种采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺的增强模式（常关）晶体管。这种结合产生了一种具有双极型晶体管的功率处理能力并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
附加功能
500V击穿电压
独立的N通道和P通道
电气隔离的N通道和P通道
低输入电容
快速切换速度
没有二次故障
低输入和输出泄漏
一般的描述Supertex TC1550由一个高压n通道和p通道MOSFET组成，在一个8引线SOIC封装中。这是一种增强模式(正常关闭)晶体管，利用了先进的垂直DMOS结构和Supertex经过验证的硅栅制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。
该器件具有所有MOS结构的特点，没有热失控和热致二次击穿Supertex的垂直DMOS fts非常适合于极低门限电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入d的开关和放大应用.
