描述
GC84000 系列是硅片电容器，采用氮化硅作为介电层。这些电容器优于 MOS 器件，因为它们具有更高的可靠性和坚固性。此外，它们具有更高的单位面积电容，从而导致尺寸更小。

由于 MNS 电容器是高 Q 值器件，因此与陶瓷芯片电容器相比，它们在高频应用中具有优异的插入损耗特性。它们用于从 UHF 到 Ku 频段，并且在该范围内的插入损耗小于 0.1 dB。

额定工作电压为 100 VDC（典型值为 140 VDC）。可提供击穿额定值为 300 VDC 和定制尺寸的特殊设备。详情请联系工厂。

该系列设备符合欧盟指令 2002/95/EC 的 RoHS 要求。除非另有说明，否则标准端子饰面为金色。如果您有特殊要求，请咨询工厂。


主要特征

优秀的Q

优越的插入损耗

适用于高达 18 GHz 的应用

符合 RoHS

应用

射频偏置网络

直流块

射频旁路

电容耦合

固定调音元素